CEO da Intel Lip-Bu Tan está sinalizando um re-ingresso estratégico em chips de memória, descrevendo novas arquiteturas de memória como um 'projeto pessoal' e anunciando a contratação de Seok-Hee Lee, ex-CEO da SK Hynix, como Vice-Presidente Executivo de Intel Foundry (reportando diretamente a Tan). Lee liderou o desenvolvimento de HBM (memória de alta largura de banda) na SK Hynix e supervisionou a aquisição de 2020 do negócio NAND da Intel pela empresa—agora ele está retornando à Intel conforme memória ganha urgência estratégica em IA.
Suportando o sinal: Intel arquivou uma patente para XBM (cross-batch memory), uma nova arquitetura que elimina o caro interposor de silício usado em HBM padrão. XBM constrói transistores DRAM diretamente nas camadas de metal back-end-of-line do chip e se comunica via links serial UCIe, visando paridade HBM4 em footprint com potencial menor custo e potência. Intel também está desenvolvendo conjuntamente Z-Angle Memory (ZAM) com subsidiária SAIMEMORY do SoftBank do Japão—um design de DRAM empilhado de 8 camadas visando alta capacidade, largura de banda alta e baixa potência.
Para arquitetos: demanda de IA transformou memória de commodity para gargalo. Tan declarou publicamente 'não há alívio até 2028'—suprimentos HBM são oligopolizados por SK Hynix (~60% de participação), Samsung e Micron, com datacenters de IA consumindo ~70% de produção global DRAM. Se Intel conseguir entregar uma arquitetura de memória diferenciada (XBM o mais cedo 2030+), quebraria o estrangulamento dos incumbentes e remodelaria economia de custos para inferência e treinamento. A contratação de Lee sinaliza intenção séria, mas tentativas anteriores de memória Intel (Optane, RDRAM) falharam—risco de execução é alto.