Kioxia e SanDisk atingem densidade record de 3D NAND: 332 camadas, 37 Gb/mm², 4.800 MT/s I/O
Kioxia e SanDisk demonstraram um novo dispositivo BiCS10 3D QLC NAND com densidade areolar record de 37 Gb/mm²—a maior densidade de 3D NAND formalmente introduzida até agora. O dispositivo apresenta 332 camadas ativas, velocidade de interface até 4.800 MT/s, e é destinado a SSDs de qualidade data center que precisam maximizar a densidade de armazenamento para cargas de trabalho de IA. Construído em seu processo BiCS10 mais recente, a tecnologia deve permitir armazenamento de data center de altíssima capacidade a menor custo ou margens mais altas em comparação aos dispositivos 3D QLC NAND concorrentes uma vez que os rendimentos atinjam níveis alvo.
Os dois fabricantes também implementaram terminação de baixa exploração isolada por potência (PI-LTT) para reduzir o consumo de potência em drivers de saída de alta velocidade sem sacrificar a integridade do sinal. O dispositivo BiCS10 QLC está sendo direcionado a SSDs de qualidade data center para aplicações orientadas por IA, suportando a crescente demanda de infraestrutura por armazenamento massivo e denso ao lado de clusters GPU. A empresa estimou a capacidade em aproximadamente 1.33 Tb por die, embora nem Kioxia nem SanDisk tenham divulgado a especificação real de capacidade.
Para arquitetos provisionando armazenamento massivo para clusters de treinamento e pipelines de inferência, este marco sinaliza que a camada de armazenamento pode escalar capacidade muito mais rápido que o provisionamento de GPU. O movimento para QLC (quatro bits por célula) desde TLC (três bits) nas densidades mais altas reflete a pressão econômica nos data centers para empacotar mais terabytes por watt e por socket em pegadas de rack—uma restrição crítica conforme dados de treinamento de modelo e caches de inferência crescem.
Fontes
- Primary source
- tomshardware.com
“Kioxia's and Sandisk's BiCS10 3D QLC NAND device introduced at FMS features an areal density of 37 Gb/mm2, which makes it the world's densest 3D NAND storage device formally introduced to date. The device features 332 active layers as well as an up to 4,800 MT/s interface”