IBM y Lam Research se asocian en lógica sub-1nm con High-NA EUV para producción 2030s

IBM y Lam Research anunciaron una colaboración de cinco años para desarrollar materiales, procesos de manufactura y tecnologías de litografía High-NA EUV para dispositivos de lógica sub-1nm. El trabajo ocurrirá en el IBM Albany NanoTech Complex utilizando equipos de Lam que incluyen dry resist Aether, herramientas etch Kiyo/Akara y herramientas de deposición STRIKER/ALTUS. Esto se construye sobre más de una década de asociación que produjo el avance 2nm de IBM en 2021 y arquitecturas de transistor nanosheet.

La colaboración apunta a la integración de procesos High-NA EUV dry resist y precisión a nivel atómico en patterning, etch y deposición. El trabajo de procesos sub-1nm que comienza en 2026 es poco probable que alcance manufactura de volumen antes de principios de los 2030s. El enfoque está en nuevas arquitecturas de interconexión incluyendo nanosheets, nanostacks y backside power delivery—técnicas que permiten escalado continuo cuando el encogimiento lateral convencional encuentra límites físicos.

IBM, habiendo salido de la manufactura de chips hace décadas, mantiene su instalación Albany como sitio de desarrollo de procesos cuyas innovaciones fluyen hacia foundries de producción como TSMC. Lam Research aporta experiencia en materiales (tecnología dry resist, adopción Aether por fabricantes de memoria en 2025) y habilidades de integración de equipos. La litografía High-NA EUV de ASML (0.55 apertura numérica vs. 0.33 para Low-NA) es un habilitador crítico: mejora la resolución y permite direct-print patterning en lugar de soluciones alternativas multi-patterning.

Para arquitectos, esto señala la próxima frontera competitiva: una vez que 2nm alcanza madurez (TSMC ahora en producción de volumen), la carrera se traslada a sub-2nm con High-NA EUV, diseños de transistor 3D y nuevos materiales. El roadmap de investigación pública de IBM y Lam informará los cronogramas de adopción de foundries. La colaboración posiciona a Lam como socio de materiales y equipos para nodos post-Low-NA EUV, crítico mientras que las foundries se diversifican de los costos heredados de multi-patterning.