El CEO de Intel Lip-Bu Tan señaló un potencial retorno a la fabricación de memoria, llamando al sector ya no un negocio de commodity sino un activo estratégico en la era de IA. En un podcast de TechSurge, Tan describió nuevas arquitecturas de memoria como uno de sus 'proyectos favoritos' y marcó el sector como maduro para innovación. Hizo alusión al apilamiento de DRAM directamente en CPUs, diciendo 'hay muchas formas en que realmente podemos hacer apilamiento juntos'. La empresa contrató recientemente a Seok-Hee Lee, ex-CEO de SK Hynix, como vicepresidente ejecutivo de su división de foundry.
Intel tiene dos esfuerzos de memoria paralelos en movimiento: XBM (Cross-Batch Memory), que elimina el interposer de silicio usado en HBM convencional, aprovechando interconexión de chiplet en su lugar para apilamiento 3D directo en lógica; y Z-Angle Memory (ZAM), DRAM apilado de bajo poder co-desarrollado con Saimemory de SoftBank, apuntando a prototipo en 2028 y comercialización en 2030. Ambos apuntan a resolver el cuello de botella de ancho de banda de memoria que ahora está estrangulando aceleradores de IA. Las previsiones de mercado actual muestran suministro de memoria agotado hasta 2027–2028 a precios elevados.
Para arquitectos: el retorno de Intel a memoria importa porque memoria es ahora la restricción vinculante en sistemas de computación. El apilamiento de DRAM on-die o in-package reduce latencia y potencia, críticos tanto para entrenamiento como para inferencia. XBM apunta a despliegue post-2030, pero si se comercializa, podría diferenciar estrategias de silicio personalizado. Sin embargo, Intel ha fallado en apuestas de memoria antes (Optane, HMC); el éxito requiere buy-in del ecosistema más allá de los propios productos de Intel.