Samsung envía muestras de HBM4E líderes de la industria a 16Gbps, 48GB por stack; ganancia de velocidad de 20%+ sobre HBM4
Samsung anunció el 29 de mayo de 2026 que ha comenzado a enviar las primeras muestras de HBM4E de la industria a los principales clientes globales. HBM4E logra velocidades de hasta 16 gigabits-por-segundo (Gbps) con una velocidad de pin estable de 14Gbps, representando un aumento de más del 20% sobre HBM4 de Samsung. La configuración de 12 capas ofrece capacidad de 48GB—un aumento de más del 30% versus la generación anterior—con planes para expandir a configuraciones de 32GB (8 capas) y 64GB (16 capas) según los requisitos del cliente.
HBM4E de Samsung entrega ancho de banda de memoria de hasta 3,6 terabytes-por-segundo (TB/s) por stack, aprovechando el proceso DRAM de clase 10-nanómetro de sexta generación (1c) de la empresa emparejado con un dado lógico de 4-nanómetro. La empresa citó eficiencia energética mejorada y desempeño térmico en comparación con HBM4. Samsung fabricó en masa HBM4 comenzando en febrero de 2026 y ahora extiende su hoja de ruta con muestras de HBM4E para abordar demandas rápidamente escalables de computación de IA e infraestructura hyperscale, con el tiempo de producción en masa alineado a los cronogramas del cliente después de la optimización.
El envío de HBM4E de Samsung fortalece la presión competitiva sobre la dominancia de suministro de HBM de SK Hynix y respalda la transición del acelerador de IA Vera Rubin de NVIDIA, que ya ha entrado en producción a escala completa. La cartera de semiconductores más amplia de Samsung—abarcando memoria, foundry, diseño de lógica y empaque avanzado—posiciona a la empresa para competir en costo, rendimiento e integración de diseño a medida que los sistemas de IA de próxima generación se escalan.
Para arquitectos de infraestructura de IA, las muestras de HBM4E de Samsung proporcionan una alternativa de suministro a corto plazo a SK Hynix para la planificación de sistemas 2027+. La ganancia de velocidad de 20%+ y el factor de forma estándar de 48GB reducen la complejidad de apilamiento para clusters de servicio de modelos grandes. Validación de HBM4E multi-proveedor—Samsung, rampas de HBM4 de Micron y producción de SK Hynix—señala una transición de restricciones de suministro extremas hacia competencia multi-source a fines de 2026/2027.
Fuentes
- Primary source
- cnbc.com
“12-layer HBM4E, 16Gbps speed, 48GB capacity (+30% vs HBM4), +20% speed over HBM4, energy-efficient”
- news.samsung.com
“6th-gen 10nm DRAM + 4nm logic base die; 3.6TB/s bandwidth per stack; mass production aligned to customer schedules”