SK hynix Planea Inversión de $712,5B en Corea del Sur: HBM, NAND, Nuevo Cluster de Semiconductores
SK hynix anunció una inversión histórica de KRW 1,1 billones ($712,5 mil millones) en operaciones de semiconductores en Corea del Sur—el mayor comprometimiento de capital en la historia de la empresa. El plan abarca tres iniciativas principales: KRW 100 billones ($64 mil millones) para expansión del campus de Cheongju (NAND 3D y empaque de HBM); KRW 600 billones ($389,3 mil millones) para el Cluster de Semiconductores de Yongin, que se convertirá en el sitio de producción de DRAM más grande de SK hynix; y KRW 400 billones ($259,5 mil millones) para un nuevo cluster de semiconductores Southwestern, un proyecto greenfield aún en fase de selección de sitio.
La inversión de Cheongju apoya la construcción de fab M17 NAND 3D (comenzando en 2027, producción estimada en 2029) y expansión de instalación de empaque y prueba P&T7 HBM. El cluster de Yongin es más maduro: el primer fab se espera que comience operaciones en mayo de 2027, con fabs posteriores agregadas secuencialmente. El ramp completo se espera que impacte el mercado de DRAM en 2028–2029. SK hynix aceleró el cronograma de Yongin de 2045 a 2033—diez años antes—reflejando confianza en demanda sostenida de memoria. El cluster Southwestern permanece años distante; la selección de sitio depende de evaliar disponibilidad de electricidad, agua, transporte e infraestructura.
Esta mega-inversión llega cuando Samsung anunció KRW 140 billones ($90,98 mil millones) paralelos en capex en Corea del Sur, señalando una construcción de capacidad en toda la industria dirigida a apoyar demanda sostenida de inferencia de IA y entrenamiento. SK hynix espera que estos fabs mejoren la elasticidad de suministro de DRAM y HBM y reduzcan riesgo de concentración de suministro de semiconductores coreanos.
Para planificadores de infraestructura de IA y compradores, el cronograma acelerado de SK hynix señala que restricciones de ancho de banda de memoria (HBM) y capacidad de DRAM pueden aliviar comenzando en 2027–2028. Sin embargo, el retraso de 2–4 años antes de que la nueva capacidad alcance volumen subraya que las escaseces de spot actuales y costos elevados de HBM/memoria persistirán a través de 2026 y en 2027. La inversión es una apuesta de que post-entrenamiento, inferencia y cargas de trabajo de IA de gran lote sostendrán primas de precio de memoria que justifiquen $712,5 mil millones en manufactura en Corea del Sur.