SK Hynix envía muestras de memoria HBM4E: 16Gbps, 48GB por stack, ganancia de potencia del 20%
SK Hynix anunció el 18 de junio de 2026, que ha enviado muestras de memoria de alto ancho de banda HBM4E de 12 capas a clientes principales de IA, avanzando a la fase de calificación de cliente para memoria de próxima generación. El nuevo HBM4E ofrece hasta 16 Gbps por pin (vs. ~10–13 Gbps en HBM4), capacidad de 48GB por stack y ganancia de eficiencia de potencia de más del 20% sobre la generación anterior. El proceso de empaque MR-MUF avanzado mejoró la resistencia térmica en un 17% en comparación con HBM4, permitiendo una operación estable en entornos de IA de alto rendimiento.
Los envíos de SK Hynix llegaron aproximadamente tres semanas después de que Samsung anunciara sus propias muestras de HBM4E el 29 de mayo de 2026. Ambas empresas están compitiendo para calificar su memoria con NVIDIA, AMD, Google y otros fabricantes de aceleradores de IA antes del ramp de producción a finales de 2026/principios de 2027. Según Counterpoint Research, SK Hynix tiene una participación del 58% en el mercado de HBM a partir de Q1 2026, con Samsung y Micron rezagados en ~21% cada uno. Se entiende que la empresa utiliza dies base de clase TSMC 3nm, mientras que Samsung usa su propio proceso de clase 4nm.
Para arquitectos de infraestructura, el tiempo de HBM4E es crítico: el esperado sucesor de Vera de NVIDIA (Rubin Ultra) e MI500 de AMD empacarán 384GB de HBM por GPU— 8 stacks de 48GB—arriba del 30% de las generaciones actuales. Los arquitectos que implementan clústeres de entrenamiento a gran escala en 2027 se preocupan porque la calificación temprana del cliente bloquea las cadenas de suministro; la capacidad de un proveedor para entregar volumen importa más que comunicados de prensa. El liderazgo de mercado de SK Hynix y la relación con NVIDIA le dan una ventaja, pero el riesgo de ejecución en la fabricación aumenta drastícamente con transiciones de nodo de próxima generación.
Fuentes
- Primary source
- news.skhynix.com
“SK hynix Inc. announced today that it has shipped samples of HBM4E, a next-generation DRAM for AI, to major customers... The 12-layer HBM4E shows improvements in both performance and power efficiency. The product features a maximum data processing speed of 16Gbps per pin and power efficiency that is up more than 20 percent from previous models.”
- koreaherald.com
“SK hynix said Thursday it has shipped samples of its 12-layer HBM4E, the next generation of high-bandwidth memory for artificial intelligence, to major customers, moving the company into the customer-qualification stage roughly three weeks after rival Samsung Electronics claimed the industry's first such shipment.”
- koreaherald.com
“SK hynix leads the HBM market with a revenue share of about 58 percent as of the first quarter of 2026, according to Counterpoint Research, with Samsung and US-based Micron each trailing at roughly 21 percent.”