Samsung envia amostras de HBM4E líderes da indústria a 16Gbps, 48GB por stack; ganho de velocidade de 20%+ sobre HBM4
Samsung anunciou em 29 de maio de 2026 que começou a enviar as primeiras amostras de HBM4E da indústria para grandes clientes globais. O HBM4E atinge velocidades de até 16 gigabits-por-segundo (Gbps) com uma velocidade de pino estável de 14Gbps, representando um aumento de mais de 20% sobre o HBM4 da Samsung. A configuração de 12 camadas oferece capacidade de 48GB—um aumento de mais de 30% versus a geração anterior—com planos de expandir para configurações de 32GB (8 camadas) e 64GB (16 camadas) por requisitos de cliente.
O HBM4E da Samsung oferece largura de banda de memória de até 3,6 terabytes-por-segundo (TB/s) por stack, aproveitando o processo DRAM classe 10-nanômetro de sexta geração (1c) da empresa emparelhado com um dado lógico de 4-nanômetro. A empresa citou eficiência energética melhorada e desempenho térmico comparado ao HBM4. Samsung produziu em massa HBM4 começando em fevereiro de 2026 e agora estende seu roadmap com amostras de HBM4E para atender demandas rapidamente escaláveis da computação de IA e infraestrutura hyperscale, com timing de produção em massa alinhado aos cronogramas de cliente após otimização.
O envio de HBM4E da Samsung fortalece pressão competitiva na dominância de suprimento de HBM de SK Hynix e apoia a transição do acelerador de IA Vera Rubin da NVIDIA, que já entrou em produção em escala total. O portfólio de semicondutores mais amplo da Samsung—abrangendo memória, foundry, design de lógica e empacotamento avançado—posiciona a empresa para competir em custo, rendimento e integração de design conforme sistemas de próxima geração de IA escalam.
Para arquitetos de infraestrutura de IA, as amostras de HBM4E da Samsung fornecem uma alternativa de suprimento de curto prazo a SK Hynix para planejamento de sistemas 2027+. O ganho de velocidade de 20%+ e forma padrão de 48GB reduzem complexidade de empilhamento para clusters de grande modelo-serving. Validação de HBM4E multi-fornecedor—Samsung, acelerações de HBM4 de Micron e produção de SK Hynix—sinaliza uma transição de restrições extremas de oferta para competição multi-fonte até final de 2026/2027.
Fontes
- Primary source
- cnbc.com
“12-layer HBM4E, 16Gbps speed, 48GB capacity (+30% vs HBM4), +20% speed over HBM4, energy-efficient”
- news.samsung.com
“6th-gen 10nm DRAM + 4nm logic base die; 3.6TB/s bandwidth per stack; mass production aligned to customer schedules”