CEO de Intel Lip-Bu Tan está señalando un re-ingreso estratégico en chips de memoria, describiendo nuevas arquitecturas de memoria como un 'proyecto personal' y anunciando la contratación de Seok-Hee Lee, ex-CEO de SK Hynix, como Vicepresidente Ejecutivo de Intel Foundry (reportando directamente a Tan). Lee lideró el desarrollo de HBM (memoria de alto ancho de banda) en SK Hynix y supervisó la adquisición de 2020 del negocio NAND de Intel por la empresa—ahora está regresando a Intel conforme la memoria adquiere urgencia estratégica en IA.
Apoyando la señal: Intel ha presentado una patente para XBM (cross-batch memory), una nueva arquitectura que elimina el costoso interpositor de silicio utilizado en HBM estándar. XBM construye transistores DRAM directamente en las capas de metal back-end-of-line del chip y se comunica a través de enlaces serial UCIe, apuntando a paridad HBM4 en footprint con potencial menor costo y potencia. Intel también está desarrollando conjuntamente Z-Angle Memory (ZAM) con la subsidiaria SAIMEMORY de SoftBank de Japón—un diseño de DRAM apilado de 8 capas dirigido a alta capacidad, alto ancho de banda y bajo consumo de energía.
Para arquitectos: la demanda de IA ha transformado la memoria de commodity a cuello de botella. Tan declaró públicamente 'no hay alivio hasta 2028'—los suministros HBM están oligopolizados por SK Hynix (~60% de participación), Samsung y Micron, con datacenters de IA consumiendo ~70% de la producción global DRAM. Si Intel puede entregar una arquitectura de memoria diferenciada (XBM lo antes posible 2030+), rompería el estrangulamiento de los incumbentes y remodelaría la economía de costos para inferencia y entrenamiento. La contratación de Lee señala intención seria, pero intentos anteriores de memoria de Intel (Optane, RDRAM) fallaron—riesgo de ejecución es alto.