Kioxia y SanDisk alcanzan densidad record de 3D NAND: 332 capas, 37 Gb/mm², 4.800 MT/s I/O

Kioxia y SanDisk han demostrado un nuevo dispositivo BiCS10 3D QLC NAND con densidad areolar record de 37 Gb/mm²—la densidad de 3D NAND más alta formalmente introducida hasta ahora. El dispositivo presenta 332 capas activas, velocidad de interfaz hasta 4.800 MT/s, y está dirigido a SSDs de grado data center que necesitan maximizar la densidad de almacenamiento para cargas de trabajo de IA. Construido en su proceso BiCS10 más reciente, la tecnología se espera que permita almacenamiento de data center de altísima capacidad a menor costo o márgenes más altos comparado con dispositivos 3D QLC NAND competidores una vez que los rendimientos alcancen niveles objetivo.

Los dos fabricantes también implementaron terminación de baja extracción aislada por potencia (PI-LTT) para reducir el consumo de potencia en drivers de salida de alta velocidad sin sacrificar la integridad de la señal. El dispositivo BiCS10 QLC está siendo dirigido a SSDs de grado data center para aplicaciones orientadas a IA, apoyando la demanda creciente de infraestructura para almacenamiento masivo y denso junto a clusters GPU. La compañía estimó la capacidad en aproximadamente 1.33 Tb por die, aunque ni Kioxia ni SanDisk divulgaron la especificación real de capacidad.

Para arquitectos aprovisionando almacenamiento masivo para clusters de entrenamiento y pipelines de inferencia, este hito señala que la capa de almacenamiento puede escalar capacidad mucho más rápido que el aprovisionamiento de GPU. El movimiento a QLC (cuatro bits por celda) desde TLC (tres bits) en las densidades más altas refleja la presión económica en los data centers para empacar más terabytes por vatio y por socket en huellas de rack—una restricción crítica conforme los datos de entrenamiento de modelo y cachés de inferencia crecen.