O fabricante chinês de memória ChangXin Memory Technologies (CXMT) deve produzir aproximadamente 350.000 wafers DRAM por mês até o final de 2026, quase igualando os 375.000 wafers por mês esperados pela Micron, de acordo com o modelo de capacidade bottom-up da Citrini Research. Se realizado, isso posicionaria a CXMT como a quarta maior produtora global de DRAM (por capacidade de wafer), remodelando a dinâmica competitiva no mercado de memória commodity e sinalizando a rápida ascensão da China na autossuficiência de semicondutores.
O governo está supostamente direcionando a CXMT a compartilhar sua tecnologia DRAM com pares JHICC, Swaysure e subsidiária YMTC XMC para aliviar a escassez doméstica. Se todas essas instalações atingirem a capacidade planejada nos próximos anos, a produção total de DRAM da China atingiria 600.000 wafers por mês até o final da década—significativamente menor que a Coréia do Sul, mas à frente do Japão, Taiwan e EUA combinados. A própria CXMT está mirando 950.000 WSPM até 2030 através de novas fábricas em Pequim, Hefei e Xangai. A empresa também está aumentando a produção HBM3, iniciando a produção em volume em 2026.
Para operadores: o ganho de capacidade da CXMT não se traduz imediatamente em deslocamento de mercado. Enquanto a empresa forneceu DDR5 a 8.000 MT/s com densidades se aproximando dos concorrentes, rendimentos, mix de produtos e maturidade da cadeia de suprimentos ainda ficam atrás dos incumbentes. A real restrição é litografia avançada—controles de exportação dos EUA bloqueiam a CXMT de ferramentas EUV, forçando dependência de equipamento DUV mais antigo e multi-patterning. Ferramentas domésticas (SMEE, SiCarrier) podem ramp em 2027, mas a maturidade de produção não é esperada antes dos anos 2030s iniciais. O principal relógio: a demanda global de DRAM deve exceder a oferta até pelo menos 2027, significando que a capacidade incremental da CXMT alimenta escassez existente em vez de esmagar preços a curto prazo.