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Micron se compromete com $250B aos EUA até 2035; maior campus de fab doméstico em Nova York despeja concreto

Micron Technology anunciou um compromisso de $250 bilhões em manufatura dos EUA até 2035, um aumento de $50 bilhões de seu compromisso anterior de $200 bilhões e impulsionado pela demanda recorde de memória de IA. A expansão de gastos visa produção de DRAM avançado em Nova York, Idaho e Virgínia, com o objetivo de produzir 40% do DRAM global de Micron domesticamente até 2035. O campus de fab de Nova York perto de Syracuse—agora funcionando antes do cronograma—espera-se que se torne o maior local de manufatura de semicondutores nos EUA com até quatro fabs e 50 mil empregos criados.

Como parte do compromisso, Micron está investindo $3 bilhões para fortalecer o ecossistema de cadeia de suprimentos de semicondutores dos EUA, incluindo $500 milhões em financiamento estratégico para GlobalWafers para expandir sua instalação de wafer de silício de 300mm no Texas, apoiado por um acordo de suprimento de 10 anos. Saída de primeiro wafer das fabs de Micron em Idaho esperada em meados de 2027 (primeiro fab) e final de 2028 (segundo fab). A empresa também anunciou acordos de suprimento de memória de longo prazo com Ford e General Motors, bloqueando $22 bilhões em pedidos de clientes comprometidos e posicionando Micron como fornecedor crítico para workloads automotivos e de data center.

Para arquitetos: isto sinaliza confiança em computação de IA restrita por memória até os anos 2030. Ações de Micron dispararam quase 250% no ano e atingiram cap de mercado de $1 trilhão em maio; este compromisso de capex expandido reflete demanda sustentada de hyperscalers e buildout de infraestrutura de IA. Combinado com compromisso de $880B de Samsung/SK Hynix e projeção de 90 mil+ empregos de Micron, a escassez de memória agora impulsiona um ciclo de reshoring de uma década para DRAM e HBM—espere que preços permaneçam elevados mas curvas de oferta se apertem até 2028-2029 quando capacidade ficar online.

Fontes