Nanya cuadruplica capex 2027 a $6,2 mil millones en aumento de precio DRAM, margen del 79,5%

Nanya Technology anunció planes para aumentar el gasto de capital de 2027 a más de TW$200 mil millones ($6,2 mil millones), aproximadamente cuatro veces su presupuesto de 2026, mientras que los precios de DRAM continúan disparándose en medio de la construcción de centros de datos de IA. El fabricante de memoria taiwanés registró ingresos de Q2 2026 de TW$82,55 mil millones, aumentando 684% año-a-año, con ingreso neto de TW$50,19 mil millones (aumentando 1.324%) y margen bruto alcanzando 79,5% contra 20,6% negativo en el mismo trimestre de 2025. La ganancia de apenas un trimestre excede las ganancias anuales totales de Nanya en 2025.

El ramp de capex de Nanya refleja confianza en que las restricciones de suministro de DRAM persistirán hasta al menos H1 2027. La nueva fab en el distrito de Taishan de Nueva Taipei alcanzará 30.000 wafers por mes en 2028 y se expandirá a 45.000 mensuales, funcionando en el nodo 1B de la empresa (clase 10nm) para producir DDR5, DDR4 y DDR4 de bajo consumo. El precio de venta promedio de Nanya aumentó más del 70% trimestre-a-trimestre en Q1 2026, mientras que los envíos de bits cayeron un porcentaje de un solo dígito medio, indicando que todo el aumento de ingresos es impulsado por precio, no por volumen.

Para arquitectos de IA: el precio spot de DRAM sigue siendo inflado, pero el enorme compromiso de capex de Nanya señala que el racionamiento de suministro puede aliviar en 2028–2029. En particular, Nanya no tiene capacidad de memoria de ancho de banda alto y descartó competir en HBM; HBM personalizado para IA de borde desarrollado con socios tiene como objetivo finales de 2026. La expansión de fab es solo DRAM convencional, no el segmento de memoria de alto margen de IA, lo que hace que sea una apuesta en precios sostenidos y crecimiento continuo de la demanda de hiperscalers.